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PBSS4032NT数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
PBSS4032NT |
参数属性 | PBSS4032NT 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 2.6A TO236AB |
功能描述 | 30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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PBSS4032NT规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS4032PT.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• Optimized switching time
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
应用 Application
• DC-to-DC conversion
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
技术参数
- 制造商编号
:PBSS4032NT
- 生产厂家
:Nexperia
- Package name
:SOT23
- Size (mm)
:2.9 x 1.3 x 1
- Polarity
:NPN
- Ptot (mW)
:390
- VCEO [max] (V)
:30
- IC [max] (mA)
:2600
- hFE [min]
:300
- Tj [max] (°C)
:150
- Automotive qualified
:Y
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
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恩XP |
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恩XP |
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Nexperia/安世 |
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SOT23 |
90000 |
原厂原装正品现货 |
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