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PBSS4021SN规格书详情
描述 Description
20 V, 7.5 A NPN/NPN low V_CEsat (BISS) transistor - NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement: PBSS4021SPN
特性 Features
·Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
·High collector current capability IC and ICM
·High collector current gain (hFE) at high IC
·High efficiency due to less heat generation
·Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
应用 Application
·Loadswitch
·Battery-driven devices
·Power management
·Charging circuits
·Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS4021SN
- 生产厂家
：Nexperia
- Package version
：SOT96-1
- Package name
：SO8
- Size (mm)
：4.9 x 3.9 x 1.75
- Product status
：Production
- Polarity
：NPN
- number of transistors
：2
- P_tot [max] (mW)
：1399.9999999999999
- V_CEO [max] (V)
：20
- I_C [max] (A)
：7.5
- V_CEsat [max] (NPN) (mV)
：275
- R_CEsat@I_C [max]; I_C/I_B =10 [typ] (mΩ)
：35.000000000000003
- h_FE [min]
：300
- f_T [typ] (MHz)
：115
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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