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PBSS4021NX中文资料20 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

PBSS4021NX

参数属性

PBSS4021NX 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 7A SOT89

功能描述

20 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-243AA

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-24 13:31:00

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PBSS4021NX规格书详情

描述 Description

General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS4021PX.Features and benefits
• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

技术参数

  • 产品编号:

    PBSS4021NX,115

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    210mV @ 350mA,7A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 4A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    115MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 7A SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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