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PBSS4032ND中文资料30 V, 3.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PBSS4032ND

参数属性

PBSS4032ND 封装/外壳为SC-74,SOT-457;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 3.5A 6TSOP

功能描述

30 V, 3.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

SC-74,SOT-457

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 22:59:00

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PBSS4032ND规格书详情

描述 Description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS4032PD

特性 Features

• AEC-Q101 qualified
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High energy efficiency due to less heat generation
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• Optimized switching time
• Smaller required PCB area than for conventional transistors

应用 Application

• Battery-driven devices
• Charging circuits
• DC-to-DC conversion
• Power management

技术参数

  • 制造商编号

    :PBSS4032ND

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :TSOP6

  • Size (mm)

    :2.9 x 1.5 x 1

  • Polarity

    :NPN

  • Ptot (mW)

    :480

  • VCEO [max] (V)

    :30

  • IC [max] (mA)

    :3500

  • hFE [min]

    :300

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • Automotive qualified

    :Y

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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