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PBSS4032ND数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
PBSS4032ND规格书详情
描述 Description
General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS4032PD.
特性 Features
Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
Optimized switching time
High collector current capability IC and ICM
High collector current gain (hFE) at high IC
High energy efficiency due to less heat generation
AEC-Q101 qualified
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistorsApplications
DC-to-DC conversion
Battery-driven devices
Power management
Charging circuits
技术参数
- 产品编号：
PBSS4032ND,115
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 400mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
135MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-74，SOT-457
- 供应商器件封装：
6-TSOP
- 描述：
TRANS NPN 30V 3.5A 6TSOP
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