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PBSS4032ND中文资料30 V, 3.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

PBSS4032ND

参数属性

PBSS4032ND 封装/外壳为SC-74,SOT-457;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 3.5A 6TSOP

功能描述

30 V, 3.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

SC-74,SOT-457

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 22:59:00

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PBSS4032ND规格书详情

描述 Description

General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS4032PD.

特性 Features

„ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
„ Optimized switching time
„ High collector current capability IC and ICM
„ High collector current gain (hFE) at high IC
„ High energy efficiency due to less heat generation
„ AEC-Q101 qualified
„ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistorsApplications
„ DC-to-DC conversion
„ Battery-driven devices
„ Power management
„ Charging circuits

技术参数

  • 产品编号:

    PBSS4032ND,115

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 400mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    135MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-74,SOT-457

  • 供应商器件封装:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 3.5A 6TSOP

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