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PBSS4032NZ-Q	文件：310.05 Kbytes Page：14 Pages	Marking：PB4032NZ；Package：SOT223；30 V, 4.9 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4032PZ-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •Highcollectorcurrentcapabi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PD	文件：190.86 Kbytes Page：14 Pages	30V,2.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT457(SC-74)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032ND. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedswitchingtime ■Highcollectorcurrent	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4032PD	文件：304.16 Kbytes Page：15 Pages	30V,2.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PT	文件：181.22 Kbytes Page：14 Pages	30V,2.4APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT23(TO-236AB)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NT. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedswitchingtime ■Highcollectorcurre	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4032PT	文件：181.22 Kbytes Page：14 Pages	30V,2.4APNPlowVCEsat(BISS)transistorRev.01??18December2009	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4032PT	文件：294.56 Kbytes Page：15 Pages	30V,2.4APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PT-Q	文件：280.35 Kbytes Page：14 Pages	30V,2.4APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NT-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Optimizedswitchingtime •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PX	文件：197.23 Kbytes Page：15 Pages	Generaldescription Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerandflatleadSOT89(SC-62)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NX. Featuresandbenefits ■Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedsw	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4032PX	文件：741 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified *Smallerrequired	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032PZ	文件：199.4 Kbytes Page：15 Pages	30V,4.4APNPlowVCEsat(BISS)transistor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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