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IRLML6302GTRPBF

HEXFETPower MOSFET

文件:287.08 Kbytes 页数:2 Pages

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

IRLML6302PBF

HEXFET Power MOSFET

文件:636.22 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRLML6302PBF

ULTRA LOW ON RESISFANCE

文件:251.93 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRLML6302TR

generation v technology

文件:285.66 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

详细参数

  • 型号:

    IRLML6302GTRPBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
25+
SOT-23
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更多IRLML6302GTRPBF供应商 更新时间2026-1-30 17:32:00