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IRL3102S	文件：90.92 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.013w, Id=61A) Description TheseHEXFETPowerMOSFETsweredesignedspecificallytomeetthedemandsofCPUcoreDC-DCconverters.Advancedprocessingtechniquescombinedwithanoptimizedgateoxidedesignresults inadiesizedspecificallytooffermaximumefficiencyatminimumcost. TheD2Pakisas	IRF International Rectifier	IRF
IRL3102S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.013w, Id=61A);	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRL3102SPBF	文件：322.7 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseHEXFETPowerMOSFETsweredesignedspecificallytomeetthedemandsofCPUcoreDC-DCconverters.Advancedprocessingtechniquescombinedwithanoptimizedgateoxidedesignresults inadiesizedspecificallytooffermaximumefficiencyatminimumcost. TheD2Pakisas	IRF International Rectifier	IRF
IRL3102STRR	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET; Description\nThese HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters. Advanced processing techniques combined with an optimized gate oxide design results\nin a die sized specifically to offer maximum efficiency at minimum cost.\nThe D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.Advanced Process Technology\nSurface Mount\nOptimized for 4.5V-7.0V Gate Drive\nIdeal for CPU Core DC-DC Converters\nFast Switching	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRL3102STRLPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ITS-3102-A	文件：119.67 Kbytes Page：2 Pages	FrontPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
ITS3102AFK	文件：320.29 Kbytes Page：2 Pages	FrontPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
ITS3102AMB	文件：320.29 Kbytes Page：2 Pages	FrontPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
ITS3102EFK	文件：320.29 Kbytes Page：2 Pages	FrontPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
ITS3102EMB	文件：320.29 Kbytes Page：2 Pages	FrontPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR

详细参数

型号：
IRL3102S
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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