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IRL3502S	文件：130.62 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3502SPBF	文件：243.84 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
JA3502	文件：37.56 Kbytes Page：1 Pages	WIPERCONTROLLER	HONGFAHongfa Technology 宏发电声厦门宏发电声股份有限公司	HONGFA
KA3502	文件：89.49 Kbytes Page：14 Pages	PCSMPSSupervisoryIC Descriptions TheKA3502iscompletehousekeepingcircuitryforuseinthesecondarysideofSMPS(SwitchedModePowerSupply).Itcontainsvariousfunctions,whicharetwoPrecisionVoltageReferences,OverVoltage/CurrentProtection,RemoteOn/OffControl,PowerGoodSignalGenerator,DisableLog	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KBJ3502	文件：601.58 Kbytes Page：2 Pages	IN-LINEGLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
KBJ3502	文件：157.68 Kbytes Page：2 Pages	35AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
KBOC3502	文件：371.62 Kbytes Page：2 Pages	35A200VRectifyingbridge	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
KBPC3502	文件：215.79 Kbytes Page：2 Pages	10A/15A/25A/35ASINGLE-PHASESILICONBRIDGE? Features •Surgeoverload200-400Amperespeak •Lowforwardvoltagedrop •MountingPosition:Any •Electricallyisolatedbase-180Volts •Solderable.25FASTONterminals •MaterialsusedcarriesU/Lrecognition	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
KBPC3502	文件：17.89 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEPHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:35A FEATURES •Surgeoverloadrating:400Apeak •Highcasedielectricstrength •1/4universalfastenterminal •andφ.04lead-wireavailable •Hightemperaturesolderingguaranteed: 250°C/10sec/0.375(9.5mm)leadlength at5lbstension	SSE Shanghai Sunrise Electronics	SSE
KBPC3502	文件：52.67 Kbytes Page：4 Pages	15,25,35AHIGHCURRENTBRIDGERECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowReverseLeakageCurrent ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●ElectricallyIsolatedMetalCaseforMaximumHeatDissipation ●CasetoTerminalIsolationVoltage2500V ●RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

详细参数

型号：
IRL3502S
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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