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IRL3103D1SPBF	文件：308.47 Kbytes Page：8 Pages	Generation 5 Technology 文件：308.47 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRL3103D1	文件：94.58 Kbytes Page：6 Pages	FETKY??MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER(Vdss=30V, Rds(on)=0.014ohm, Id=64A) Description The FETKY family of copackaged HEXFET power MOSFETs and Schottky Diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. A low on resistance Gen 5 MOSFET with a low forward voltage drop Schottky diode and minimized component interconne 文件：94.58 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRL3103D1PBF	文件：330.39 Kbytes Page：7 Pages	Generation 5 Technology Description The FETKY family of copackaged HEXFET power MOSFETs and Schottky Diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. A low on resistance Gen 5 MOSFET with a low forward voltage drop Schottky diode and minimized component interconne 文件：330.39 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRL3103D1S	文件：100.38 Kbytes Page：17 Pages	5-BIT PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS BUCK, NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTABLE LDO AND 200mA ON-BOARD LDO DESCRIPTION The IRU3007 controller IC is specifically designed to meet Intel specification for Pentium IIä microprocessor applications as well as the next generation of P6 family processors. The IRU3007 provides a single chip controller IC for the Vcore, LDO controller for GTL+ and an internal 20 文件：100.38 Kbytes 页数：17 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRL3103D1SPBF
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
FETKY™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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