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描述 Description
The FETKY family of copackaged HEXFET power MOSFETs and Schottky Diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. A low on resistance Gen 5 MOSFET with a low forward voltage drop Schottky diode and minimized component interconnect inductance and resistance result in maximized converter efficiencies.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
● Copackaged HEXFET® Power MOSFET and Schottky Diode
● Generation 5 Technology
● Logic Level Gate Drive
● Minimize Circuit Inductance
● Ideal For Synchronous Regulator Application
产品属性
- 型号：
IRL3103D1
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
FETKY™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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