IRL3103D1中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRL3103D1规格书详情
描述 Description
The FETKY family of copackaged HEXFET power MOSFETs and Schottky Diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. A low on resistance Gen 5 MOSFET with a low forward voltage drop Schottky diode and minimized component interconnect inductance and resistance result in maximized converter efficiencies.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
● Copackaged HEXFET® Power MOSFET and Schottky Diode
● Generation 5 Technology
● Logic Level Gate Drive
● Minimize Circuit Inductance
● Ideal For Synchronous Regulator Application
产品属性
- 型号：
IRL3103D1
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
FETKY™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-263 |
1186 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
05+ |
原厂原装 |
1651 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
IR |
23+24 |
TO-263 |
59630 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
询价 | ||
VB |
21+ |
D2PAK |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
IOR |
22+ |
TO-263 |
5000 |
只做原装,假一赔十 |
询价 | ||
IR |
1923+ |
NA |
9200 |
公司原装现货假一罚十特价欢迎来电咨询 |
询价 |
