| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
16年
留言
|
IRD2-PAK |
10000 |
23+ |
||||
|
13年
留言
|
IRTO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
|
12年
留言
|
IRTO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
|
13年
留言
|
IR |
26976 |
2018+ |
代理原装现货/特价热卖! |
|||
|
1年
留言
|
IRTO-220 |
9566 |
2033+/1926+ |
进口原装优势现货库存 |
|||
|
14年
留言
|
IRTO-220AB |
19526 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
|
1年
留言
|
IRTO-220 |
260 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价！ |
|||
|
13年
留言
|
IRTO-220-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
|
10年
留言
|
IRSSOP36 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
|||
|
10年
留言
|
IRSSOP36 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
|
6年
留言
|
IRTO-220 |
260 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
1年
留言
|
IRTO-220 |
260 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货，支持一站式配单 |
|||
|
5年
留言
|
Infineon TechnologiesTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
13年
留言
|
IRTO-220 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
|
12年
留言
|
IR/VISHAYTO-TO-220 |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
|
6年
留言
|
Infineon Technologies原装 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
3年
留言
|
Infineon Technologies原装 |
7000 |
23+ |
||||
|
5年
留言
|
IRTO-220 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
|
2年
留言
|
IR |
20000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
|||
|
14年
留言
|
IRTO-220AB |
16800 |
26+ |
原装现货 |
IRL3303采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL3303图片
IRL3303LPBF价格
IRL3303LPBF价格：￥4.5624品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRL3303LPBF多少钱，想知道IRL3303LPBF价格是多少？参考价：￥4.5624。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRL3303LPBF批发价格及采购报价，IRL3303LPBF销售排行榜及行情走势，IRL3303LPBF报价。
IRL3303中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3303功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3303D1功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3303D1S功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3303D1SHR制造商:International Rectifier 功能描述:30V 25.000A D2PAK - Rail/Tube
IRL3303D1STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3303D1STRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:30V 25.000A D2PAK - Tape and Reel
IRL3303D1STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3303HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 38A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRL3303L功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3303LPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
