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详细参数

  • 型号:

    IRL2910STR

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
22+
TO-263
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
询价
IR
23+
TO-263
8000
只做原装现货
询价
IR
23+
TO-263
7000
询价
IR
24+
TO-263
30000
只做正品原装现货
询价
INTERNATIONA
05+
原厂原装
9226
只做全新原装真实现货供应
询价
IR
17+
TO-263
6200
100%原装正品现货
询价
IR
24+
原厂封装
9600
原装现货假一罚十
询价
Infineon
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
IR
25+
TO-263
2800
原装现货!可长期供货!
询价
IR
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
更多IRL2910STR供应商 更新时间2025-12-15 10:03:00