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IRL2703SPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

文件:1.19213 Mbytes 页数:10 Pages

IRF

IRL2910L

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:300.69 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRL2910PBF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:981.62 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRL2910PBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:1.54679 Mbytes 页数:9 Pages

IRF

IRL2910PBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:1.54679 Mbytes 页数:9 Pages

IRF

IRL2910SPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:690.5 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRL2910SPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:690.5 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRL2203N

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 完全雪崩额定值\n• 逻辑电平;

Infineon

英飞凌

IRL2203NS

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 完全雪崩额定值\n• 逻辑电平;

Infineon

英飞凌

IRL2203NL

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A⑦)

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Package :

    TO-220

  • VDS max:

    30.0V

  • RDS (on)(@10V) max:

    7.0mΩ

  • RDS (on) max:

    7.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    10.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID (@ TC=100°C) max:

    71.0A

  • ID  max:

    71.0A

  • ID (@ TC=25°C) max:

    100.0A

  • Ptot max:

    130.0W

  • QG :

    40.0nC 

  • Mounting :

    THT

  • RthJC max:

    1.2K/W

  • Tj max:

    175.0°C

  • VGS max:

    16.0V

  • Qgd :

    22.0nC 

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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IR
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TO-220
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TO-220
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多IRL2供应商 更新时间2026-1-17 20:25:00