| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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3年
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IRTO-220 |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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6年
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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11年
留言
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IRTO-220 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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21年
留言
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IRTO-263 |
6500 |
25+ |
专注原装芯片21年 一手货源 样品免费送 |
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12年
留言
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INFINEONTO-220 |
22000 |
26+ |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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15年
留言
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IRTO263 |
25 |
26+ |
原装正品支持实单 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
4000 |
26+ |
只做原装力挺实单 |
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4年
留言
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IRTO263 |
8540 |
2430+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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7年
留言
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INFINEONTO-220 |
5000 |
20+ |
全新原装公司现货 |
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13年
留言
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IRTO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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12年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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15年
留言
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IRTO263 |
90000 |
26+ |
原装现货实单必成 |
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6年
留言
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INFINEONTO-220 |
918000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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8年
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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13年
留言
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IRTO-263 |
8150 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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16年
留言
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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7年
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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全新原装现货供应 0755-82538863 15820431872 QQ:1134344845
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更多IRL2203制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
IRL2203N功能描述:MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2203NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 116A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRL2203NL功能描述:MOSFET N-CH 30V 116A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2203NLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2203NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 100A 7mOhm 40nC Log LvlAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2203NS功能描述:MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2203NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRL2203NSPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2203NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 116A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
