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IRGSL4B60K	文件：324.07 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. •Lead-Free. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerfor	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL4B60K	文件：295.71 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL4B60KD1	文件：377.18 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL4B60KD1	文件：434.6 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerform	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL4B60KD1PBF	文件：442.69 Kbytes Page：16 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerform	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL4B60KPBF	文件：366.25 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. •Lead-Free. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerfor	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL4B60KD1	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Low-Vceon Non Punch Through Copack IGBT in a TO-262 package;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGSL4B60KD1	文件：376.95 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH	IRF International Rectifier	IRF
IRGSL4B60KD1PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT NPT 600V 11A TO262	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
I2PAK (TO-262)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
7.6A
IC(@25°) max：
11.0A
ICpuls max：
22.0A
Ptot max：
63.0W
VCE(sat) ：
2.1V
Eon ：
0.073mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.047mJ
td(on) ：
22.0ns
tr ：
18.0ns
td(off) ：
100.0ns
tf ：
66.0ns
QGate ：
12.0nC
IF max：
22.0A
VF ：
1.4V
Irrm ：
6.3A
Moisture Sensitivity Level ：
1
Ets (max)：
0.12mJ (0.13mJ)
VCE max：
600.0V

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