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IRGSL4B60K分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRGSL4B60K
厂商型号

IRGSL4B60K

参数属性

IRGSL4B60K 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT NPT 600V 11A TO262

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封装外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

文件大小

295.71 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-4 11:12:00

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IRGSL4B60K规格书详情

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

产品属性

  • 产品编号:

    IRGSL4B60KD1PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,4A

  • 开关能量:

    73µJ(开),47µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    22ns/100ns

  • 测试条件:

    400V,4A,100 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装:

    TO-262

  • 描述:

    IGBT NPT 600V 11A TO262

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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