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IRGSL4062DPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRGSL4062DPBF
厂商型号

IRGSL4062DPBF

参数属性

IRGSL4062DPBF 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 48A 250W TO262

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封装外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

文件大小

465.35 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-5 8:11:00

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IRGSL4062DPBF规格书详情

Features

• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology

• Low switching losses

• Maximum Junction temperature 175 °C

• 5 µS short circuit SOA

• Square RBSOA

• 100 of the parts tested for 4X rated current (ILM)

• Positive VCE (ON) Temperature co-efficient

• Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode

• Tight parameter distribution

• Lead Free Package

Benefits

• High Efficiency in a wide range of applications

• Suitable for a wide range of switching frequencies due to

Low VCE (ON) and Low Switching losses

• Rugged transient Performance for increased reliability

• Excellent Current sharing in parallel operation

• Low EMI

产品属性

  • 产品编号:

    IRGSL4062DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,24A

  • 开关能量:

    115µJ(开),600µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    41ns/104ns

  • 测试条件:

    400V,24A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装:

    TO-262

  • 描述:

    IGBT 600V 48A 250W TO262

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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