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IRGP4640D-E

INSULATED GATEBIPOLARTRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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未分类制造商

IRGP4640D-EPBF

INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features Low VCE(ON) and switching losses Square RBSOA and maximum junction temperature 175°C Positive VCE (ON) temperature coefficient 5µs Short Circuit SOA Lead-Free, RoHS Compliant Benefits High efficiency in a wide range of applications and switching Improved relia

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IRF

IRGP4640D-EPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

文件:787.73 Kbytes 页数:18 Pages

INFINEON

英飞凌

IRGP4640D-EPBF

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 65A TO247AC

INFINEON

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRGP4640D-E

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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更多IRGP4640D-E供应商 更新时间2026-1-17 15:19:00