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IRGP4266PBF_15	文件：568.64 Kbytes Page：11 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor 文件：568.64 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGP4266D	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V Low VCEon Trench Co-Pack IGBT in a TO-247AC package.	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4266-EPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4266DPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 140A 455W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4266-EPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 140A 450W TO247AD	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4266PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 140A 450W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
650.0V
IC(@100°) max：
90.0A
IC(@25°) max：
140.0A
ICpuls max：
300.0A
Ptot max：
450.0W
VCE(sat) ：
1.7V
Eon ：
3.2mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.7mJ
td(on) ：
50.0ns
tr ：
70.0ns
td(off) ：
200.0ns
tf ：
60.0ns
QGate ：
50.0nC
Ets (max)：
4.9mJ (6.8mJ)
Switching Frequency ：
Gen 6.2 8-30 kHz
VCE max：
650.0V

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