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IRGP4266	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V Low VCEon Trench IGBT in a TO-247AC package.	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4266D-EPbF	文件：869.82 Kbytes Page：12 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Features Low VCE(ON) and Switching Losses 5.5µs Short Circuit SOA Square RBSOA Maximum Junction Temperature 175°C Positive VCE (ON) Temperature Co-efficient Benefits High Efficiency in a Wide Range of Applications Increased Reliability Excellent Current Sharing in 文件：869.82 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4266D-EPBF	文件：753.49 Kbytes Page：12 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Features Low VCE(ON) and Switching Losses 5.5µs Short Circuit SOA Square RBSOA Maximum Junction Temperature 175°C Positive VCE (ON) Temperature Co-efficient Benefits High Efficiency in a Wide Range of Applications Increased Reliability Excellent Current Sharing in 文件：753.49 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGP4266DPBF	文件：869.82 Kbytes Page：12 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Features Low VCE(ON) and Switching Losses 5.5µs Short Circuit SOA Square RBSOA Maximum Junction Temperature 175°C Positive VCE (ON) Temperature Co-efficient Benefits High Efficiency in a Wide Range of Applications Increased Reliability Excellent Current Sharing in 文件：869.82 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4266DPBF	文件：753.49 Kbytes Page：12 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Features Low VCE(ON) and Switching Losses 5.5µs Short Circuit SOA Square RBSOA Maximum Junction Temperature 175°C Positive VCE (ON) Temperature Co-efficient Benefits High Efficiency in a Wide Range of Applications Increased Reliability Excellent Current Sharing in 文件：753.49 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGP4266DPBF	文件：884.42 Kbytes Page：12 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 文件：884.42 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGP4266DPBF_15	文件：884.42 Kbytes Page：12 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 文件：884.42 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGP4266-EPBF	文件：896.05 Kbytes Page：11 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor 文件：896.05 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGP4266PBF	文件：896.05 Kbytes Page：11 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor 文件：896.05 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGP4266PBF	文件：568.64 Kbytes Page：11 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor 文件：568.64 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
650.0V
IC(@100°) max：
90.0A
IC(@25°) max：
140.0A
ICpuls max：
300.0A
Ptot max：
450.0W
VCE(sat) ：
1.7V
Eon ：
3.2mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.7mJ
td(on) ：
50.0ns
tr ：
70.0ns
td(off) ：
200.0ns
tf ：
60.0ns
QGate ：
50.0nC
Ets (max)：
4.9mJ (6.8mJ)
Switching Frequency ：
Gen 6.2 8-30 kHz
VCE max：
650.0V

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更多IRGP4266供应商更新时间2025-11-9 14:02:00

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