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IRGP4266-EPBF	文件：896.05 Kbytes Page：11 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP4266-EPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 140A 450W TO247AD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
4266	文件：238.25 Kbytes Page：1 Pages	CLEARTHRU-HOLESPACER	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司
AN4266	文件：725.74 Kbytes Page：76 Pages	SafetyapplicationguideforSPC56xL70xxfamily	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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AO4266	文件：2.21439 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4266	文件：1.87779 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AO4266E	文件：383.49 Kbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelAlphaSGT	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4266-HF	文件：2.57017 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
DS4266	文件：145 Kbytes Page：6 Pages	DDRClockOscillator	MaximMaximIntegrated 美信半导体
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DS4266P+	文件：145 Kbytes Page：6 Pages	DDRClockOscillator	MaximMaximIntegrated 美信半导体
IRGP4266D-EPbF	文件：869.82 Kbytes Page：12 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andSwitchingLosses 5.5µsShortCircuitSOA SquareRBSOA MaximumJunctionTemperature175°C PositiveVCE(ON)TemperatureCo-efficient Benefits HighEfficiencyinaWideRangeofApplications IncreasedReliability ExcellentCurrentSharingin	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP4266D-EPBF	文件：753.49 Kbytes Page：12 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andSwitchingLosses 5.5µsShortCircuitSOA SquareRBSOA MaximumJunctionTemperature175°C PositiveVCE(ON)TemperatureCo-efficient Benefits HighEfficiencyinaWideRangeofApplications IncreasedReliability ExcellentCurrentSharingin	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP4266DPBF	文件：884.42 Kbytes Page：12 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRGP4266PBF	文件：896.05 Kbytes Page：11 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGP4266PBF	文件：568.64 Kbytes Page：11 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
LA4266	文件：63.53 Kbytes Page：6 Pages	3WMonauralPowerAmplifier Overview TheLA4266isa3Wpoweramplifierintendedfortelevisions. ThisIChasaseriesofpincompatiblemonauraland2-channelpoweramplifiers,thusallowstheendproducttouseacommoncircuitboad Features •Televisionaudiooutput. •PincompatiblewiththeLA4267(5W)/4268(10W)	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社

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产品属性

产品编号：
IRGP4266-EPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，75A
开关能量：
3.2mJ（开），1.7mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
80ns/200ns
测试条件：
400V，75A，10 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 650V 140A 450W TO247AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRGP4266-EPBF供应商更新时间2024-4-27 14:12:00

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