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IRGP4266-EPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4266-EPBF	文件：896.05 Kbytes Page：11 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor 文件：896.05 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGP4266-EPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 140A 450W TO247AD	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRGP4266PBF	文件：896.05 Kbytes Page：11 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor 文件：896.05 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGP4266PBF	文件：568.64 Kbytes Page：11 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor 文件：568.64 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
LA4266	文件：63.53 Kbytes Page：6 Pages	3 W Monaural Power Amplifier Overview The LA4266 is a 3W power amplifier intended for televisions. This IC has a series of pin compatible monaural and 2-channel power amplifiers, thus allows the end product to use a common circuit boad Features • Television audio output. • Pin compatible with the LA4267 (5 W)/4268 (10 W) 文件：63.53 Kbytes 页数：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO

产品属性

产品编号：
IRGP4266-EPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，75A
开关能量：
3.2mJ（开），1.7mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
80ns/200ns
测试条件：
400V，75A，10 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 650V 140A 450W TO247AD

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