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IRGPS40B120UD	文件：134.02 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Super-247 Package. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged 文件：134.02 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGPS40B120UDP	文件：349.3 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION · Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics · Low Diode VF · Low EMI APPLICATIONS · Industrial Power Supplies · Inductivecooking · Softswitchingapplications 文件：349.3 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRGPS40B120UDP	文件：132.23 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Super-247 Package. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Contr 文件：132.23 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGPS40B120UDP	文件：137.54 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：137.54 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGPS40B120UDP_15	文件：137.54 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：137.54 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGPS40B120UD	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-274AA package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGPS40B120UDP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-274AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 80A 595W SUPER247	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
Super-247 (TO-274)
Voltage Class max：
1200.0V
IC(@100°) max：
40.0A
IC(@25°) max：
80.0A
ICpuls max：
160.0A
Ptot max：
595.0W
VCE(sat) ：
3.12V
Eon ：
1.4mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.65mJ
td(on) ：
76.0ns
tr ：
39.0ns
td(off) ：
332.0ns
tf ：
25.0ns
QGate ：
340.0nC
IF max：
160.0A
VF ：
2.03V
Irrm ：
50.0A
Ets (max)：
3.05mJ (3.8mJ)
VCE max：
1200.0V

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更多IRGPS40B120UD供应商更新时间2025-12-11 13:30:00

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