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IRGPH20S	文件：240.26 Kbytes Page：6 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=6.6A) Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of 文件：240.26 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRGPH20S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRGPS4067DPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	IR TO-247	IR 国际整流器上传：深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	IR
IRGPS60B120KDP	文件：0 bytes Page：0 Pages	IR TO-247	IR 国际整流器上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	IR
IRGS14C40LPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	IR TO-263	IR 国际整流器上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	IR

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更多IRGPH20S供应商更新时间2025-10-6 10:04:00