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IRGP4266-EPBF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IRGP4266-EPBF |
参数属性 | IRGP4266-EPBF 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 650V 140A 450W TO247AD |
功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 18:12:00 |
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IRGP4266-EPBF规格书详情
简介
IRGP4266-EPBF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGP4266-EPBF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
IRGP4266-EPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,75A
- 开关能量:
3.2mJ(开),1.7mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
80ns/200ns
- 测试条件:
400V,75A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 650V 140A 450W TO247AD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
12+ |
TO-247 |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IR |
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IR |
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Infineon Technologies |
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Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
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Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
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IR |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
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