IRGP4068D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

特性 Features

• 低 VCE (on) 沟槽栅 IGBT 技术
• 低开关损耗
• 最高结温为 175 °C
• 5 μS 短路 SOA
• 方形 RBSOA
• 所有部件都经过 ILM 测试
• 正 VCE(ON) 温度系数
• 超低 VF Hyperfast 二极管
• 参数分布紧凑
• 无铅封装

优势:
• 器件经过感应加热和软开关应用优化
• 低VCE(on) 、低开关损耗以及超低的 VF 可实现高效率
• 强健的瞬态性能提升可靠性
• 并联工作时电流共享表现出色
• 低 EMI

简介

IRGP4068D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGP4068D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。