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IRGP4069D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRGP4069D

参数属性

IRGP4069D 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH 600V 76A TO247AC

功能描述

600V Low VCEon Trench Co-Pack IGBT with Ultra-Fast Soft Recovery Diode in a TO-247 package
IGBT TRENCH 600V 76A TO247AC

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:45:00

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IRGP4069D规格书详情

描述 Description

600V 低 VCE(on) 沟槽栅 IGBT 与超快、超软恢复二极管联合封装到TO-247 封装中。

特性 Features

• 低 VCE (on) 沟槽栅 IGBT 技术
• 低开关损耗
• 最高结温为 175 °C
• 5µs 短路 SOA
• 方形 RBSOA
• 所有部件都经过 ILM 测试
• 正 VCE(on) 温度系数
• 参数分布更紧凑
• 无铅

优势:
• 在广泛的应用领域都能发挥高效率
• 由于 VCE (ON) 低且开关损耗低,所以适合在众多开关频率应用中使用
• 强健的瞬态性能提升可靠性
• 并联工作时电流共享表现出色

应用 Application

• 驱动器和泵
• 太阳能
• 不间断电源(UPS)
• 焊接

简介

IRGP4069D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGP4069D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRGP4069D

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Switching Frequency min

    :8 kHz

  • Switching Frequency max

    :30 kHz

  • Technology

    :IGBT Gen 6.2

  • Voltage Class max

    :600 V

  • IC @ 100° max

    :50 A

  • VCE(sat)

    :1.6 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Eon

    :0.39 mJ

  • Eoff Hard Switching

    :0.632 mJ

  • IF max

    :140 A

  • Driver Selection

    :5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT|5546d4694909da48014909dc094d01c8=600.0|5546d4624933b8750149389ffe5222e1=10.0|5546d4624933b8750149389ffe6022e2=0.0|5546d4694909da48014909dc0bb301f2=IRGP4069D

  • Type

    :IGBT + Diode

  • Package name

    :TO247COPAK

  • td(on)

    :46 ns

  • tr

    :33 ns

  • td(off)

    :105 ns

  • tf

    :44 ns

  • QGate

    :69 nC

  • IC @ 25° max

    :76 A

  • VF

    :2.2 V

  • Irrm

    :25 A

  • ICpuls max

    :105 A

  • Soft Switching

    :no

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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