IRGP4069D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IRGP4069D |
参数属性 | IRGP4069D 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH 600V 76A TO247AC |
功能描述 | 600V Low VCEon Trench Co-Pack IGBT with Ultra-Fast Soft Recovery Diode in a TO-247 package |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 11:45:00 |
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IRGP4069D规格书详情
描述 Description
600V 低 VCE(on) 沟槽栅 IGBT 与超快、超软恢复二极管联合封装到TO-247 封装中。
特性 Features
• 低 VCE (on) 沟槽栅 IGBT 技术
• 低开关损耗
• 最高结温为 175 °C
• 5µs 短路 SOA
• 方形 RBSOA
• 所有部件都经过 ILM 测试
• 正 VCE(on) 温度系数
• 参数分布更紧凑
• 无铅
优势:
• 在广泛的应用领域都能发挥高效率
• 由于 VCE (ON) 低且开关损耗低,所以适合在众多开关频率应用中使用
• 强健的瞬态性能提升可靠性
• 并联工作时电流共享表现出色
应用 Application
• 驱动器和泵
• 太阳能
• 不间断电源(UPS)
• 焊接
简介
IRGP4069D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGP4069D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRGP4069D
- 生产厂家
:Infineon
- Product Status
:active and preferred
- Green
:yes
- Halogen-free
:no
- Switching Frequency min
:8 kHz
- Switching Frequency max
:30 kHz
- Technology
:IGBT Gen 6.2
- Voltage Class max
:600 V
- IC @ 100° max
:50 A
- VCE(sat)
:1.6 V
- Qualification
:Industrial
- Eon
:0.39 mJ
- Eoff Hard Switching
:0.632 mJ
- IF max
:140 A
- Driver Selection
:5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT|5546d4694909da48014909dc094d01c8=600.0|5546d4624933b8750149389ffe5222e1=10.0|5546d4624933b8750149389ffe6022e2=0.0|5546d4694909da48014909dc0bb301f2=IRGP4069D
- Type
:IGBT + Diode
- Package name
:TO247COPAK
- td(on)
:46 ns
- tr
:33 ns
- td(off)
:105 ns
- tf
:44 ns
- QGate
:69 nC
- IC @ 25° max
:76 A
- VF
:2.2 V
- Irrm
:25 A
- ICpuls max
:105 A
- Soft Switching
:no
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
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IR |
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23+ |
TO-247-3 |
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IR |
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IR |
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Tray |
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