IRGP4266D中文资料650V Low VCEon Trench Co-Pack IGBT in a TO-247AC package.数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IRGP4266D |
| 参数属性 | IRGP4266D 封装/外壳为TO-247-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 140A 455W TO247AC |
| 功能描述 | 650V Low VCEon Trench Co-Pack IGBT in a TO-247AC package. |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-4 14:26:00 |
| 人工找货 | IRGP4266D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGP4266D规格书详情
应用 Application
·AC-DC
·Pump
·Solar
·UPS
·Welding
简介
IRGP4266D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由Infineon制造生产的IRGP4266D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：IRGP4266D
- 生产厂家
：Infineon
- Technology
：IGBT Gen 6.2
- Switching Frequency min max
：8.0kHz 30.0kHz
- Package
：TO-247
- Voltage Class max
：650.0V
- IC(@100°) max
：90.0A
- IC(@25°) max
：140.0A
- ICpuls max
：300.0A
- Ptot max
：455.0W
- VCE(sat)
：1.7V
- Eon
：2.5mJ
- Eoff(Hard Switching)
：2.2mJ
- td(on)
：50.0ns
- tr
：70.0ns
- td(off)
：200.0ns
- tf
：60.0ns
- QGate
：140.0nC
- IF max
：300.0A
- VF
：2.1V
- Irrm
：27.0A
- Ets (max)
：4.7mJ (6.4mJ)
- VCE max
：650.0V
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