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IRGP4266D-EPbF	文件：869.82 Kbytes Page：12 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Features Low VCE(ON) and Switching Losses 5.5µs Short Circuit SOA Square RBSOA Maximum Junction Temperature 175°C Positive VCE (ON) Temperature Co-efficient Benefits High Efficiency in a Wide Range of Applications Increased Reliability Excellent Current Sharing in 文件：869.82 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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IRGP4266DPBF	文件：884.42 Kbytes Page：12 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 文件：884.42 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
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IRGP4266D	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V Low VCEon Trench Co-Pack IGBT in a TO-247AC package.	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4266D-EPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 140A 455W TO247AD	Infineon 英飞凌	Infineon
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产品属性

产品编号：
IRGP4266DPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，75A
开关能量：
2.5mJ（开），2.2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/200ns
测试条件：
400V，75A，10 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 650V 140A 455W TO247AC

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更多IRGP4266D供应商更新时间2025-11-4 14:14:00

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