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IRG4PC50FPBF	文件：327.62 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowGateDriveRequirement ·HighCurrentHandlingCapability ·ShortCircuitCapability ·HighPowerDensity APPLICATIONS ·PowerInverters ·MotorDrives ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRG4PC50FPBF	文件：313.65 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50FPBF	文件：304.68 Kbytes Page：8 Pages	FastSpeedIGBT-INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR FastSpeedIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50K	文件：115.6 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V,@Vge=15V,Ic=30A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanpreviousgenerat	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KD	文件：374 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V,@Vge=15V,Ic=30A) INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ●ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V ●Generation4IGBTdesignprovidestigh	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KDPBF	文件：650.34 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhigh operationfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRated to10μs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFRE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KDPBF	文件：651.3 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KPBF	文件：276.86 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50KPBF	文件：239.98 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanpreviousgenerati	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50S	文件：164.62 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.28V,@Vge=15V,Ic=41A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.28V @VGE=15V,IC=41A Features •Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4PC50WPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，27A
开关能量：
80µJ（开），320µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
46ns/120ns
测试条件：
480V，27A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 55A 200W TO247AC

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