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IRG4BC30FD	文件：412.64 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-s	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FDPBF	文件：3.17753 Mbytes Page：11 Pages	FastCoPack1GBT(VCES=600V,VCE(on)typ.=1.59V,VGE=15V,IC=17A) FastCoPackIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythan	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FDPBF	文件：397.06 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD-S	文件：1.25649 Mbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHHYPERFASTDIODE Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. •IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultral	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD-SPBF	文件：1.17757 Mbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHHYPERFASTDIODE Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter. parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. •IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultra	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD-SPBF	文件：1.21922 Mbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHHYPERFASTDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FPBF	文件：218.21 Kbytes Page：8 Pages	FastSpeedIGBTINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benefits •Generatio	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FPBF	文件：311 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30F-STRLP	文件：177.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30K	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
IRG4BC30WSTRR
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，12A
输入类型：
标准
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
描述：
IGBT D2PAK

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