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IRFS644A	文件：237.97 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=250V ■LowerRDS(ON):0.214Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS644A	文件：59.09 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS644B	文件：900.35 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS644B	文件：265.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFW644A	文件：229.46 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=250V ♦LowerRDS(ON):0.214Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW644B	文件：685.47 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
ISO644X	文件：1.3838 Mbytes Page：36 Pages	ISO644xGeneral-Purpose,Reinforced,Quad-ChannelDigitalIsolatorsWithRobustEMC 1Features •Upto100Mbpsdatarate •RobustSiO2isolationbarrier: –Widetemperaturerange:–40°Cto125°C –Upto5000VRMSisolationrating –Upto10.4kVsurgecapability –±100kV/μstypicalCMTI •Supplyrange:2.25Vto5.5V •Defaultoutputhigh(ISO644x)andlow (ISO644xF)op	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
KPC644	文件：103.95 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistoftwoGalliumArsenideInfraredEmitting)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
KRC644T	文件：69.37 Kbytes Page：5 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighOutputCurrent:800mA.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
L644	文件：585.91 Kbytes Page：4 Pages	PowerModules •LowProfile •7DifferentCircuitstoChoosefrom •DesignedforPrintedCircuitBoardConnections	crydom Crydom Inc.,	crydom

详细参数

型号：
IRFS644A
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 7.9A I(D) | TO-220AB

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更多IRFS644A供应商更新时间2025-7-21 15:54:00

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