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IRFPG40	文件：46.76 Kbytes Page：6 Pages	4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET This N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching 文件：46.76 Kbytes 页数：6 Pages	Intersil	Intersil
IRFPG40	文件：1.55707 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude 文件：1.55707 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG40	文件：167.5 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=4.3A) DESCRIPTION Third Generation HEXFETs from International Rectfier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Isolated Central Mounting Hole • Fast Sw 文件：167.5 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFPG40	文件：910.5 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：910.5 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG40PBF	文件：1.55707 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude 文件：1.55707 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG40PBF	文件：866.16 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(on) = 3.5廓 , ID = 4.3A ) DESCRIPTION Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels 文件：866.16 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFPG40_V01	文件：910.5 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：910.5 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG40PBF	文件：910.5 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：910.5 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG40	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=4.3A)	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFPG40
功能描述：
MOSFET N-Chan 1000V 4.3 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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