IRFPG40中文资料PDF规格书
IRFPG40规格书详情
DESCRIPTION
Third Generation HEXFETs from International Rectfier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Isolated Central Mounting Hole
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
产品属性
- 型号:
IRFPG40
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 1000V 4.3 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO247 |
350000 |
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IR |
23+ |
TO-247 |
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TO247 |
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IR |
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IR |
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