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IRFPC50A	文件：893.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Switch 文件：893.51 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPC50A	文件：225.15 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance please see www. 文件：225.15 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPC50A	文件：95.8 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.58ohm, Id=11A) SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss specified ( See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Su 文件：95.8 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFPC50A	文件：224.27 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：224.27 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPC50A_V01	文件：225.15 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance please see www. 文件：225.15 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPC50APBF	文件：893.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Switch 文件：893.51 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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IRFPC50APBF	文件：182.39 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰Power MOSFET 文件：182.39 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFPC50A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET • Low gate charge Qg results in simple drive requirement\n• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness\n• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current;	Vishay 威世	Vishay
IRFPC50A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.58ohm, Id=11A)	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFPC50A
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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