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IRFPC50A	文件：95.8 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.58ohm, Id=11A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSu	IRF International Rectifier	IRF
IRFPC50A	文件：893.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •Switch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFPC50A_V01	文件：225.15 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFPC50APBF	文件：893.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •Switch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFPC50APBF	文件：182.39 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFPC50A
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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