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IRFPC50A_V01

Power MOSFET

FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.

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威世科技威世科技半导体

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50AAUTOMOTIVEBUTTONDIODE

DiffusedJunction LowLeakage LowCost HighSurgeCurrentCapability LowCostConstructionUtilizingVoid-Free MoldedPlasticTechnique

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毅星電子毅星电子股份有限公司

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HighCurrentAutomobileRectifier

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HY ELECTRONIC CORP.

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更多IRFPC50A_V01供应商 更新时间2025-5-6 14:00:00