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IRFP448	文件：168.7 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastS	IRF International Rectifier	IRF
IRFP448	文件：1.66112 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredfor commercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclud	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP448	文件：961.16 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP448	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET; • Dynamic dV/dt Rating\n• Repetitive Avalanche Rated\n• Isolated Central Mounting Hole\n\n\n\n;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP448	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET power MOSFET. VDSS = 500 V, RDS(on) = 0.60 Ohm, ID = 11 A;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFP448_V01	文件：961.16 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP448PBF	文件：1.66112 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredfor commercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclud	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP448PBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH500V HEXFET MOSFET;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFP448
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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