IRFP448中文资料HEXFET power MOSFET. VDSS = 500 V, RDS(on) = 0.60 Ohm, ID = 11 A数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IRFP448
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 11 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2015+ |
SOP/DIP |
19889 |
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询价 | ||
IR |
TO-247 |
68500 |
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Vishay Siliconix |
23+ |
TO2473 |
9000 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO-247(AC) |
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VISHAY/威世 |
20+ |
SMD |
880000 |
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Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
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IR |
23+ |
TO247 |
7000 |
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IR |
2447 |
TO-247 |
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IR |
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