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IRFP440B	文件：689.14 Kbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFP440B	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V N-Channel MOSFET;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
IRFP440PBF	文件：930.67 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastS	IRF International Rectifier	IRF
IRFP440PBF	文件：1.44738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP440R	文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS440	文件：265.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS440	文件：343.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS440A	文件：222.67 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowreMOSFET FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=500V ♦LowerRDS(ON):0.638Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS440A	文件：64.65 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS440B	文件：687.3 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
IRFP440B
功能描述：
MOSFET 500V N-Channel B-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	IRFP440B	仙童	05+	TO-247	3000	原装进口	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRFP440B	FAIRCHILD	23+	TO-3P	9526		询价
深圳市鹏和科技有限公司	IRFP440B	FAIRCHILD	24+	TO-3P	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRFP440B	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRFP440B	FAIRCHILD/仙童	21+	TO-3P	10000	原装现货假一罚十	询价
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天津市博通航睿技术有限公司	IRFP440B	FAIRCHILD	23+	TO-3P	7000		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRFP440-LF	IR	22+		6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价

更多IRFP440B供应商更新时间2025-7-29 17:59:00

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