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IRFIZ34V	文件：105.39 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=28mohm, Id=20A) Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：105.39 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFIZ34VPBF	文件：214.29 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：214.29 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFIZ34A	文件：275 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：275 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFIZ34G	文件：319.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：319.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFIZ34G	文件：2.98969 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：2.98969 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFIZ34G	文件：2.98969 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：2.98969 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFIZ34G_09	文件：2.98969 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：2.98969 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFIZ34GPBF	文件：2.98969 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：2.98969 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFIZ34N	文件：260.26 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：260.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFIZ34NPBF	文件：271.31 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：271.31 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

漏源电压（Vdss）：
60V
栅源极阈值电压（最大值）：
4V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值）：
50 mΩ @ 12A，10V
类型：
N 沟道
功率耗散（最大值）：
42W（Tc）

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