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IRFIZ34NPBF_15	文件：271.31 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：271.31 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFIZ34N	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 FullPak 封装的 55V 单 N 通道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFIZ34G	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET POWER MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFIZ34GPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	Vishay 威世	Vishay

技术参数

漏源电压（Vdss）：
60V
栅源极阈值电压（最大值）：
4V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值）：
50 mΩ @ 12A，10V
类型：
N 沟道
功率耗散（最大值）：
42W（Tc）

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