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IRFBC30AS	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30AS	文件：147.97 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC30ASPBF	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30ASTRLPBFA	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30ASTRRPBFA	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30L	文件：362.05 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A) Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC30L	文件：147.97 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC30L	文件：310.37 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount(IRFBC30S,SiHFBC30S) •Low-profilethrough-hole(IRFBC30L,SiHFBC30L) •Availableintapeandreel(IRFBC30S, SiHFBC30S) •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30S	文件：362.05 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A) Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC30S	文件：310.37 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount(IRFBC30S,SiHFBC30S) •Low-profilethrough-hole(IRFBC30L,SiHFBC30L) •Availableintapeandreel(IRFBC30S, SiHFBC30S) •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRFBC30
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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