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IRFBC30S_V01	文件：310.37 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount(IRFBC30S,SiHFBC30S) •Low-profilethrough-hole(IRFBC30L,SiHFBC30L) •Availableintapeandreel(IRFBC30S, SiHFBC30S) •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30_V01	文件：943.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30A	文件：155.85 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30A	文件：328.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFBC30A	文件：179.3 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30A_V01	文件：179.3 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30AL	文件：850.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30ALPBF	文件：850.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30ALPBF	文件：275.86 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC30APBF	文件：155.85 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRFBC30
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFBC30供应商更新时间2025-7-19 15:04:00

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