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IRF840ASTRR	文件：919.08 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS • Switch Mode Power Supply (SMPS) 文件：919.08 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF840ASTRRPBF	文件：919.08 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS • Switch Mode Power Supply (SMPS) 文件：919.08 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF840AS_04	文件：667.17 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET HEXFET짰 Power MOSFET 文件：667.17 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF840ASPBF	文件：667.17 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET HEXFET짰 Power MOSFET 文件：667.17 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF840ASPBF	文件：234.01 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：234.01 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF840ASTRLPBFA	文件：234.01 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：234.01 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRF840AS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Low gate charge Qg results in simple drive requirement\nImproved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness\nFully characterized capacitance and avalanche voltage and current;	Vishay 威世科技	Vishay
IRF840AS/SiHF840AS/IRF840AL/SiHF840AL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRF840AS
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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