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B830	文件：366.83 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeChokeForADSLandVDSL	pulse Pulse Electronics	pulse
B830WB	文件：1.71139 Mbytes Page：12 Pages	5A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
BB830	文件：812.6 Kbytes Page：2 Pages	830tie-pointSolderlessPlug-InBreadBoardwithpowerrails Features: •830tiepointstotal:630tie-pointIC-circuitareaplustwo100tie-pointdistributionstrips providing4powerrails. •ABSplasticbodywithblackprintedlegend.Colorlegendondistributionstrips. •ContactsarePhosphorBronzewithPlatedNickelFinish,ratedfor50,000inse	BUSBOARDBusBoard Prototype Systems Ltd. BUSBOARDBusBoard Prototype Systems Ltd.	BUSBOARD
BB830-KIT	文件：512.11 Kbytes Page：2 Pages	An830tie-pointSolderlessBreadBoard,10cmZipWire™Cables,3AABatteryBoxandagreenLEDwithresistor	BUSBOARDBusBoard Prototype Systems Ltd. BUSBOARDBusBoard Prototype Systems Ltd.	BUSBOARD
BD830	文件：277.14 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-100V(Min) •HighDCCurrentGain •LowSaturationVoltage •ComplementtoTypeBD829 •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedfordriver-stagesinhi-fiamplif	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD830	文件：44.93 Kbytes Page：8 Pages	PNPpowertransistor DESCRIPTION PNPpowertransistorinaTO-202;SOT128Bplasticpackage.NPNcomplement:BD829. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Generalpurpose •Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLV830	文件：374.97 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd	ESTEK
BPW-830C	文件：78.9 Kbytes Page：1 Pages	300WDC-DCATXpowersupplyInputRange:19~32VDC	BOSERBOSER Technology Co., Ltd BOSER Technology Co., Ltd	BOSER
BPW-830V	文件：78.43 Kbytes Page：1 Pages	300WDC-DCATXpowersupplyInputRange:-40~-72VDC	BOSERBOSER Technology Co., Ltd BOSER Technology Co., Ltd	BOSER
BT830	文件：2.41914 Mbytes Page：40 Pages	Dual-ModeUARTHCIModule	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT830-SA	文件：2.41914 Mbytes Page：40 Pages	Dual-ModeUARTHCIModule	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT830-ST	文件：2.41914 Mbytes Page：40 Pages	Dual-ModeUARTHCIModule	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BX-830	文件：323.97 Kbytes Page：3 Pages	BOX-PCWideTemperature,AtomE3845,Fanless	Contec Contec	Contec
C830	文件：436.98 Kbytes Page：16 Pages	PTCthermistorsforovercurrentprotection	EPCOSEPCOS - TDK Electronics 爱普科斯爱普科斯与TDK元件事业部	EPCOS
CAPA830	文件：593.4 Kbytes Page：2 Pages	1DDR3SO-DIMMsupportsupto4GBmemorycapacity	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾讯股份有限公司	AXIOMTEK
CAPA830	文件：297.89 Kbytes Page：1 Pages	ZIOconnector	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾讯股份有限公司	AXIOMTEK
CDBG830-G	文件：61.59 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode ReverseVoltage:20~60Volts ForwardCurrent:8A Features: •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenviromentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lo	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CEB830G	文件：402.2 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEB830G	文件：648.72 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED830A	文件：364.89 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 500V,4.1A,RDS(ON)=1.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF830STRLPBF供应商更新时间2024-5-22 10:08:00

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