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IRF840AL	文件：919.08 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS • Switch Mode Power Supply (SMPS) 文件：919.08 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF840AL	文件：234.01 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance please see www 文件：234.01 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF840AL	文件：129.41 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.85ohm, Id=8.0A) Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterruptible Power Supply ● High Speed Power Switching Benefits ● Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Vo 文件：129.41 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF840AL	文件：156.83 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFET Power MOSFET VDSS =500V, RDS(on) = 0.85 ohm, ID = 8.0 A N Channel 文件：156.83 Kbytes 页数：2 Pages	TEL 东电电子	TEL
IRF840AL	文件：667.17 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET HEXFET짰 Power MOSFET 文件：667.17 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF840ALPBF	文件：919.08 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Lead (Pb)-free Available APPLICATIONS • Switch Mode Power Supply (SMPS) 文件：919.08 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF840ALPBF	文件：234.01 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：234.01 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF840ALPBF	文件：667.17 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET HEXFET짰 Power MOSFET 文件：667.17 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF840AL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Low gate charge Qg results in simple drive requirement\nImproved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness\nFully characterized capacitance and avalanche voltage and current;	Vishay 威世	Vishay
IRF840AL	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF840AL
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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