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IRF820PBF	文件：562.15 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for commercial-industrial applications at power dissipation lev 文件：562.15 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF820S	文件：183.24 Kbytes Page：8 Pages	Dynamic dV/dt rating DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It prov 文件：183.24 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF820S	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datashee 文件：238.32 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF820S	文件：172.4 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A) DESCRIPTION Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Surface Mount • Available in Tape & Reel • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche 文件：172.4 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF820S_V01	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datashee 文件：238.32 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF820_V01	文件：156 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：156 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF820A	文件：168.31 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：168.31 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF820A_V01	文件：168.31 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：168.31 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF820ALPBF	文件：242.26 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：242.26 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF820APBF	文件：168.31 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：168.31 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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技术参数

Peak Inverse Voltage PIV (V)：
600
Peak Fwd. Surge Current @ 8.3ms Superimposed Ifsm (A)：
Package：

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