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IRF7701TR

Ultra Low On-Resistance

Description HEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex

IRF

International Rectifier

IRF

LMP7701

Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeAmplifier

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

NSC

LMP7701

LMP7701/LMP7702/LMP7704Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI

LMP7701

Precision,CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeAmplifiers

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

IRF7749L1TRPBF

IR
DIRECTFE

IRInternational Rectifier Corporation,IRC

国际整流器美国国际整流器公司

上传:深圳市华芯伟电子科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    IRF7701TR

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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