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IRTSSOP-8

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深圳市拓亿芯电子有限公司

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IRTSSOP-8

25000

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全新原装现货,假一赔十

洪芯国际半导体(深圳)有限公司

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IRSOP8N

86720

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全新原装正品价格最实惠 假一赔百

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IRTSSOP8

50000

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全新原装正品现货,支持订货

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Infineon Technologies8TSSOP

9000

22+

原厂渠道,现货配单

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IRTSOP8

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保证进口原装可开17%增值税发票

深圳市安富世纪电子有限公司

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Infineon Technologies原装

8000

23+

只做原装现货

天津市博通航睿技术有限公司

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Infineon Technologies原装

7000

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRTSSOP8

6000

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终端可免费供样,支持BOM配单

芯有半导体(深圳)有限公司

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IRTSSOP8

3075

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你要真正原装就找我们

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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IRTSSOP-8

32500

25+

普通

京海半导体(深圳)有限公司

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IORTSSOP8

10000

25+

原装现货假一罚十

深圳市科雨电子有限公司

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INFINEONSSOP-8

3000

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就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!

谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司

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IRPLCC-32

890000

26+

一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务

深圳市川科科技有限公司

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VISHAY-威世TSSOP-8

78800

24+25+/26+27+

1
+:¥10
1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市壹芯创科技有限公司

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IRTSSOP8

5000

22+

全新原装现货!自家库存!

洪芯国际半导体(深圳)有限公司

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IRSOP8

86720

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上海金庆电子技术有限公司

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IRTSSOP-8

3530

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全新 发货1-2天

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRTSSOP8

50000

23+

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IRTSSOP8

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IRF7706功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF7706GPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET

IRF7706GTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -7A 22mOhm 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF7706PBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P-Channel 30V 7A TSSOP8

IRF7706TR功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF7706TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -7A 22mOhm 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube