IRF7701TR中文资料PDF规格书
IRF7701TR规格书详情
Description
HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design , that International Rectifier is well known for, provides thedesigner with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management.
● Ultra Low On-Resistance
● P-Channel MOSFET
● Very Small SOIC Package
● Low Profile (< 1.1mm)
● Available in Tape & Reel
产品属性
- 型号：
IRF7701TR
- 功能描述：
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TSSOP8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
TSOP8 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
IR |
22+ |
TSSOP8 |
9000 |
原装正品 |
询价 | ||
IR/INFINEON |
22+21+ |
TSSOP-8 |
2321 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
36500 |
正品授权货源可靠 |
询价 | |||
IR |
2016+ |
TSSOP8 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
20+ |
TSSOP8 |
65300 |
一级代理/放心购买! |
询价 | ||
IOR |
TSSOP-8 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
8TSSOP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TSSOP8 |
8900 |
英瑞芯只做原装正品!!! |
询价 |
